СВЯЗЬ с нами

Почта: info@kursak.com

Моб. тел. в Украине:

Телефон

Оплата через:

- терминал в вашем городе

- Webmoney

- ЯндексДеньги

- моб. телефон (только для Украины)

- ваш вариант

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к дипломному проекту на тему:

«Исследование электрических параметров радиационно-стойких высоковольтных выпрямительных столбов на базе высокоомного кремния»

Содержание

Задание на дипломный проект

Календарный план работы над проектом

Реферат

Введение. 7

1. Литературный обзор. 8

1.1. Диффузия. 8

1.1.1. Выбор основы РВВС. 8

1.1.2. Характеристики диффузантов. 10

1.1.3. Дислокация. 15

1.1.4. Неоднородность диффузионного слоя. 17

1.1.5. Проведение диффузии. 18

1.1.5.1. Распределение примеси при диффузии. 20

1.1.5.2. Распределения примеси при диффузии из слоя конечной толщины. 25

1.1.5.3. Зависимость пробивного напряжения от времени диффузии неосновных носителей  …27

1.1.5.4. Прямое падение напряжения на РВВС. 29

1.1.5.5. Электрофизические параметры РВВС. 31

1.1.6. Радиационная стойкость диодных структур. 35

1.1.6.1. Влияние радиационного воздействия на пробивное напряжение. 37

1.1.6.2. Влияние радиационного воздействия на прямое напряжение. 39

1.1.6.3. Влияние радиационного воздействия на время жизни неосновных     носителей. …39

1.2.Омический контакт. 41

1.3.Постановка задачи. 43

2. Методическая часть. 45

2.1. Назначение и область применения РВВС. 45

2.2. Конструкция РВВС. 45

2.3. Техническое задание параметров РВВС. 51

2.4. Приборы. 52

2.5. Описание установок. 52

2.5.1. Муфельная электропечь «Термолюкс ТК-12.1550н1ф». 52

2.5.2. Машина «Шар-шлиф К». 53

2.5.3. Измеритель удельного сопротивления 13МП-0,5-001. 55

2.6.Методика проведения эксперимента. 56

2.6.1. Методика проведения диффузии в кремнии. 56

2.6.2. Измерение глубины залегания p-n-перехода. 59

2.6.3. Измерение поверхностного сопротивления полупроводника четырёхзондовым методом  61

3. Экспериментальная часть. 63

3.1. Глубина залегания p-n перехода. 63

3.2. Получение пробивного напряжения Uпроб 68

3.3. Падение напряжения при прямом включении РВВС. 71

3.4. Время обратного восстановления РВВС. 77

3.5. Экспериментальная зависимость прямого напряжения Uпр и времени восстановления τ от площади кристалла. 79

ВЫВОДЫ.. 81

Приложения 1-7. 83

Формат:  doc

Тип задания: Дипломная работа

Предмет: Микро- и наноэлектроника

Количество страниц: 86

Есть ли таблицы, рисунки: да/нет

Количество источников:

Ссылки в тексте на источники: есть, вида [1, 1]

Год написания: 2012

Страна и город: Россия, Москва

ВУЗ: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (НИЯУ МИФИ)

Цена: 49 $ (возможна покупка частями)

Купить
  1. (корректный e-mail)
 

cforms contact form by delicious:days


Оставить комментарий

База работ