Контрольная работа
на тему: “Разработка СБИС с интеграцией 50000 ЭЛЭ”
Содержание
1 Введение…4
2 Выбор схемотехники, уровня технологии и параметров СБИС…5
2.1 Выбор значений М2 и М3…5
2.2 Определение максимальной интеграции СБИС…5
2.3 Определение уровней полупроводниковой технологии (l) CБИС…6
2.4 Выбор схемотехники…7
3 Расчет основных и производных компоновочных параметров логической схемы устройства…8
3.1 Базовые соотношения системной взаимосвязи…8
3.2 Частные соотношения системной взаимосвязи…9
4 Расчет энергетических характеристик СБИС…12
5 Расчет конструкции коммутационных элементов…14
5.1 Расчет габаритных размеров БМК СБИС…14
5.2 Расчет среднего числа связей в логической цепи…14
5.3 Расчет средних длин связей и средних длин логических цепей…16
5.4 Расчет трассировочной способности…17
5.5 Расчет слойности, структуры и выбор числа потенциальных слоев…20
6 Выбор и обоснование общей конструкции СБИС…21
6.1 Расчет числа выводов и определение типа корпуса СБИС…21
6.2 Крепление кристалла в корпусе СБИС…24
6.3 Топология керамической подложки…24
7 Расчет параметров системного и функционального быстродействия СБИС…26
8 Выбор и обоснование технических решений по конструкции разъемного соединителя для СБИС…28
9 Заключение…30
Формат файла(-ов): doc
Тип работы: Контрольная работа
Предмет: Технические дисциплины
Год написания: 2010
Страниц: 30
Есть: таблицы
Цена: 690 руб. (можно купить часть работы)